新竹2026年9月24日 /美通社/ — 全球硅知识产权（IP）领导供应商 M31 円星科技（M31）与超低功耗边缘 AI 半导体解决方案领先厂商 Ambiq 今日在台积公司北美开放创新平台论坛（TSMC North America OIP Forum）联合宣布，双方合作开发并推出一套基于台积公司 N12e® 工艺的超低功耗 Foundation IP（基础 IP）解决方案。该方案集成经优化的 SPSRAM 存储器编译器与专为 Ambiq 平台需求共同开发的超低漏电标准单元库，可帮助 IC 设计客户在 AIoT、可穿戴设备及其他”常开”（Always-on）边缘应用中，满足日益严苛的功耗与面积预算要求。
随着 SoC 持续导入”常开”与嵌入式智能功能，对功耗的要求日益严苛，同时芯片面积限制与流片进度也更趋紧凑。该方案采用台积公司 N12e® 工艺，提供可快速集成导入的 Foundation IP，在提升能效的同时兼顾所需算力，以满足 AIoT 与边缘计算等应用需求。
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本次 Foundation IP 内容包含一套台积公司 N12e® ULL（超低漏电）SPSRAM 存储器编译器，目标是在极低漏电的前提下，同时实现高密度、高性能与面积优化，并集成冗余机制、电源门控及内置自测试等关键低功耗功能。该编译器通过电路设计与物理实现的深度协同优化，在相同的存储器宏（Macro）占用面积下，可同时支持高性能与超低功耗两种工作模式。在低功耗模式下，其双电源轨架构可在近临界电压的外设电压条件下实现接近 500 MHz 的工作频率，并将 VCCA 数据保持模式下的漏电控制在约为bit-cell总保持漏电（Total bit-cell retention leakage）的 1.05–1.1 倍。目前初步导入的存储器实例已展现优异的 PPA 表现，完整编译器仍在持续开发中。
与存储器编译器相辅相成的是，M31 提供的台积公司 N12e® 标准单元库。该单元库系专为 Ambiq 平台需求而开发，通过与 Ambiq 的设计层级协作，结合其级联式（cascade-style）低功耗方法与 M31 在电路与物理实现上的创新，约可降低 50% 的漏电功耗。
该套 Foundation IP 旨在加速新一代常时感知与边缘智能应用落地，可帮助客户缩短设计周期、加快产品上市进程，以超低漏电设计强化能效，并通过协助缩小芯片面积与降低重复设计成本，提升整体成本效益。
Ambiq 创始人兼首席技术官 Scott Hanson 表示：”能效必须从 SoC 的基础单元开始打造，尤其当边缘设备逐步承载更复杂的 AI 工作负载。我们与 M31 的合作融合了双方在低功耗设计方面的专长，并为我们在台积公司 N12e® 工艺上的下一代核心平台提供关键技术基础。”
M31 副总经理 Jayanta Lahiri 表示：”客户在追求前所未有的能效与面积目标的同时，仍需确保足够的算力与实时响应。通过将我们的高效率存储器编译器与专为 Ambiq 平台需求打造、并于台积公司 N12e® 工艺上与 Ambiq 协同优化的标准元件库相结合，我们能够提供更务实、易于导入的 Foundation IP 解决方案，帮助客户实现具有挑战性的 PPA 目标。”
展望未来，M31 将持续在先进工艺上扩充低功耗 IP 产品组合，并与生态合作伙伴紧密协作，推动高性能、低漏电解决方案，支持下一波 Edge AI 应用发展。
SOURCE M31 円星科技（M31）
