– 助力人工智能数据中心、机器人等领域实现高效化与小型化的关键技术
– 专属氮化镓多项目晶圆项目计划于10月底推出
– 将BCD工艺技术优势拓展至氮化镓、碳化硅等化合物半导体领域
韩国首尔2025年9月11日 /美通社/ — 全球领先的8英寸特色晶圆代工厂DB HiTek今日宣布，其下一代功率半导体平台 — 650V增强型氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)工艺开发已进入最终阶段。该公司还将于10月底推出专属氮化镓多项目晶圆(MPW)项目。
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与传统硅基功率器件相比，氮化镓半导体在高压、高频及高温工作环境下具备卓越性能，功率效率出众。特别是650V增强型氮化镓HEMT，凭借其高速开关性能与稳健的运行稳定性，成为电动汽车充电设施、超大规模数据中心电源转换系统及先进5G网络设备的理想选择。
早在2022年化合物半导体市场初现雏形时，DB HiTek便将氮化镓与碳化硅确立为核心增长引擎，持续加大工艺研发投入。公司发言人表示：”DB HiTek凭借开发全球首款0.18微米BCDMOS工艺等成就，已在硅基功率半导体领域获得国际认可。通过新增氮化镓工艺能力，我们将以更广泛的技术组合增强市场竞争力。”
完成650V氮化镓HEMT工艺开发后，DB HiTek计划在2026年底前推出200V氮化镓工艺及针对集成电路优化的650V氮化镓工艺。未来公司还将根据市场需求和客户要求，将氮化镓平台拓展至更广泛的电压范围。
为支持这些举措，DB HiTek正在扩建位于韩国忠清北道的Fab2洁净室设施。此次扩建预计每月新增约3.5万片8英寸晶圆产能，支持氮化镓、BCDMOS和碳化硅工艺的生产。扩建完成后，DB HiTek的晶圆月总产能将提升23%，从15.4万片增至19万片。
与此同时，DB HiTek将参加于9月15日至18日在釜山BEXCO举行的2025年国际碳化硅及相关材料会议（The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials，简称”ICSCRM”）。在此次全球行业论坛上，DB HiTek将重点展示碳化硅工艺开发进展，同时展示其氮化镓和BCDMOS技术，与客户及行业领袖开展深度交流。
SOURCE DB HiTek
