SK keyfoundry加速碳化硅化合物功率半导体技术开发
-- 通过收购SK powertech掌握核心技术能力,目标2025年底前提供工艺技术 -- 韩国首尔 2025年11月12日 /美通社/ -- 韩国8英寸纯晶圆代工厂SK keyfoundry宣布,正加速开发碳化硅(SiC)化合物功率半导体技术,加大进军全球功率半导体市场的力度。公司凭借在半导体制造工艺领域的先进制造专长与广泛知识产权(IP)组合,近期已完成对碳化硅领域具备核心竞争力的关键企业SK powertech的收购,此举有望进一步增强SK keyfoundry的技术竞争力。 基于从晶圆加工到后端制造的深厚理解,SK keyfoundry积累了丰富的工艺优化技术及提升良率的专业能力。通过此次收购,SK keyfoundry成功获得了SK powertech的碳化硅工艺与设计技术,有望在碳化硅化合物半导体领域产生卓越的协同效应。SK powertech凭借其稀缺的商用碳化硅功率器件及核心工艺技术在韩国备受认可,此次收购使SK keyfoundry在碳化硅功率半导体领域扎实奠定了技术自主的基础。 立足这一基础,SK keyfoundry正加速推进技术开发,目标在2025年底前推出碳化硅MOSFET ...







